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近日,市场研究机构集邦咨询发布报告指出,由于英伟达等云端服务业者自研芯片的需求增加,存储器原厂正在积极扩大TSV产线,以提升高带宽内存(HBM)的产能。预计到2024年,HBM的出货量将增长105%。 报告进一步指出,到2023年,主流需求将从HBM2e转向HBM3,需求比重预计分别为50%和39%。
随着使用HBM3的加速芯片陆续放量,预计到2024年,市场需求将大幅转向HBM3,其比重将直接超越HBM2e,达到预计的60%。受益于其更高的平均销售单价,将带动明年HBM营收显著增长。 在竞争格局方面,目前SK海力士的HBM3产品领先其他原厂,成为英伟达服务器GPU的主要供应商。而三星则主要满足其他云端服务业者的订单。预计在今年,由于客户订单的增加,三星与SK海力士的市场份额差距将大幅缩小。预计在2023年至2024年,两家公司的HBM市场份额将相当,合计占据HBM市场的95%。 另一方面,美光今年专注于开发HBM3e产品。但由于SK海力士和三星大幅扩产,预计在未来两年,美光的市场份额将受到排挤,略有下滑。 HBM是一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM,由三星电子、超微半导体和SK海力士共同发起,主要应用于图形处理器、网络交换及转发装置等高内存频宽需求的应用场合。
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